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產品名稱
寬禁帶高電壓功率半導體GAN模塊
所屬分類
YXPHM-功率硬件模組
產品描述
作為第三代寬禁帶半導體器件，氮化鎵（GaN）正在為電力工程行業帶來變革，它實現了以往硅MOSFET從未達到的高度、高效率和更高功率密度。GaN固有的較低柵極和輸出電容支持以兆赫茲級的開關頻率運行，同時降低柵極和開關損耗，從而提高效率。不同于硅，GaN不需要體二極管，因而消除了反向恢復損耗，并進一步提高了效率、減少了開關節點振鈴和EMI。
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電力電子功率硬件模組 — YXPHM-TP210b-II交流系列
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