YXPHM-GaNHB01高功率密度氮化鎵半橋模塊

一、概述YXPHM系列功率模塊簡介

南京研旭公司最新研發推出了YXPHM系列工業級電力電子功率模塊，YXPHM系列模塊是面向高校實驗室、科研院所以及成品電力電子制造廠商的系列功率拓撲模塊。具備穩定的可靠性和良好的擴展性，種類豐富，囊括了現今主流的電力電子拓撲結構。外殼采用透明的亞克力板材，美觀實用，用戶可以方便觀察內部的硬件結構，簡潔的輸入輸出設計，減去用戶對模塊中間環節的困擾，讓用戶更專注的投入到核心研發中。

YXPHM系列采用基于模型設計的理念，脫胎于研旭成熟產品光伏并網逆變器與風機變流器等成熟產品，又結合了研旭多年的模塊化組件與開放式平臺研發經驗，對該拓撲結構與驅動電路、傳感器電路、信號處理電路進一步集成，同時提供實際控制器接口、快速原型控制器結構與實際控制器模塊，為用戶提供性價比更好的模塊化產品。

二、YXPHM-GaNHB01氮化鎵半橋模塊

作為第三代寬禁帶半導體器件，氮化鎵（GaN）正在為電力工程行業帶來變革，它實現了以往硅 MOSFET 從未達到的高速度、高效率和更高功率密度。GaN 固有的較低柵極和輸出電容支持以兆赫茲級的開關頻率運行，同時降低柵極和開關損耗，從而提高效率。不同于硅，GaN 不需要體二極管，因而消除了反向恢復損耗，并進一步提高了效率、減少了開關節點振鈴和 EMI。    

寬禁帶半導體器件正迅速替代硅基半導體器件以在變流驅動中實現更高的效率。GaN（氮化鎵）技術與其它寬禁帶技術相比成本較低，因此 GaN（氮化鎵）技術將主要用于 400V電源總線中，而 SiC（碳化硅）通常用于更高功率的高壓800V電源總線。

YXPHM-GaNHB01半橋模塊拓撲

上圖主電路拓撲為電路拓撲架構，功率GaN開關器件采用VisIC公司的V22TC65S1A功率管。表1為其主要參數。

YXPHM-GaNHB01半橋模塊參數：

三、YXPHM-GaNHB01 實測數據圖